Cales son os gases de gravación comúnmente empregados no gravado en seco?

A tecnoloxía de gravado en seco é un dos procesos clave. O gas de gravado en seco é un material clave na fabricación de semiconductores e unha importante fonte de gas para o gravado en plasma. O seu rendemento afecta directamente á calidade e ao rendemento do produto final. Este artigo comparte principalmente cales son os gases de gravación comúnmente empregados no proceso de gravado en seco.

Gases a base de flúor: comotetrafluoruro de carbono (CF4), hexafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Estes gases poden xerar efectivamente fluoruros volátiles ao gravar compostos de silicio e silicio, conseguindo así a eliminación de material.

Gases a base de cloro: como o cloro (CL2),tricloruro de boro (BCL3)e tetracloruro de silicio (SICL4). Os gases a base de cloro poden proporcionar ións de cloruro durante o proceso de gravado, o que axuda a mellorar a taxa de gravado e a selectividade.

Gases a base de bromina: como o bromo (BR2) e o ioduro de bromo (IBR). Os gases a base de bromina poden proporcionar un mellor rendemento de gravado en certos procesos de gravado, especialmente cando gravan materiais duros como o carburo de silicio.

Gases baseados en nitróxeno e baseados en osíxeno: como o trifluoruro de nitróxeno (NF3) e o osíxeno (O2). Estes gases úsanse normalmente para axustar as condicións de reacción no proceso de gravado para mellorar a selectividade e direccionalidade do gravado.

Estes gases conseguen un gravado preciso da superficie do material a través dunha combinación de pulterización física e reaccións químicas durante o gravado no plasma. A elección do gas de gravado depende do tipo de material a gravar, dos requisitos de selectividade do gravado e da taxa de gravado desexada.