A tecnoloxía de gravado en seco é un dos procesos clave. O gas de gravado en seco é un material clave na fabricación de semicondutores e unha fonte de gas importante para o gravado por plasma. O seu rendemento afecta directamente á calidade e ao rendemento do produto final. Este artigo comparte principalmente cales son os gases de gravado máis empregados no proceso de gravado en seco.
Gases con base de flúor: comotetrafluoruro de carbono (CF4), hexafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Estes gases poden xerar fluoruros volátiles de forma eficaz ao gravar silicio e compostos de silicio, conseguindo así a eliminación de material.
Gases a base de cloro: como o cloro (Cl2),tricloruro de boro (BCl3)e tetracloruro de silicio (SiCl4). Os gases a base de cloro poden proporcionar ións de cloruro durante o proceso de gravado, o que axuda a mellorar a velocidade de gravado e a selectividade.
Gases a base de bromo: como o bromo (Br2) e o ioduro de bromo (IBr). Os gases a base de bromo poden proporcionar un mellor rendemento de gravado en certos procesos de gravado, especialmente ao gravar materiais duros como o carburo de silicio.
Gases baseados en nitróxeno e osíxeno: como o trifluoruro de nitróxeno (NF3) e o osíxeno (O2). Estes gases adoitan empregarse para axustar as condicións de reacción no proceso de gravado para mellorar a selectividade e a direccionalidade do gravado.
Estes gases conseguen un gravado preciso da superficie do material mediante unha combinación de pulverización física e reaccións químicas durante o gravado por plasma. A elección do gas de gravado depende do tipo de material que se vai gravar, dos requisitos de selectividade do gravado e da velocidade de gravado desexada.
Data de publicación: 08-02-2025
